【环球时报报道 记者 倪浩】连日来,与尖端半导体制造有关的消息不断传出。《日本经济新闻》25日报道称,日本佳能公司的纳米压印技术有望制造2纳米半导体。当地时间21日,全球最大光刻机制造商荷兰阿斯麦向美国英特尔公司运送全球首台新型高数值孔径极紫外光刻机(High NA EUV)。围绕尖端芯片制造设备的争夺战正式开始,全球芯片制造商间的激烈竞争又添新变量。
2纳米制造设备来了
据《日本经济新闻》报道,佳能半导体机器业务部长岩本和德介绍了一种搭载自主“纳米压印”技术的设备,有望可以制造2纳米半导体。报道称,与利用强光在晶圆上烧刻电路不同,纳米压印可以像印章一样压印原版,由于其低成本和低耗电量的特性,“备受半导体厂商期待”。
在此之前,阿斯麦在社交媒体平台X上宣布,他们已向英特尔公司交付了首台新型High NA EUV。英国路透社报道称,高数值孔径极紫外光刻机每台成本超3亿美元,体积比卡车还大,预计将从2026年或2027年起用于商业芯片制造,可以生产“更小、更快的半导体”。
半导体专家、CHIP奇谱科技总编罗国昭25日在接受《环球时报》记者采访时表示,高数值孔径是一个面向未来的技术,在光刻机的技术发展中非常关键。它突破了光刻机既有系统的技术限制,可在光刻机上实现2纳米乃至更先进的芯片生产。这一技术的引入将硅基芯片的生命周期继续延伸,此前业界普遍预计,硅基芯片将在2纳米时代终结,更先进芯片将转向光子或碳基。这项技术将有效延长EUV(极紫外光刻)光源技术的生命周期,继续降低刻蚀光波长的紧迫性,未来可依靠高数值孔径技术,在现有光源技术上实现2纳米制程及以上芯片的生产。
开抢关键机器
2纳米芯片已成为全球芯片制造商的最新“战场”。英特尔此前已表示将于2025年量产2纳米芯片,最近又宣布将这一日程提前至2024年,三星预计2025年开始投产2纳米芯片,台积电预计也将在2025年开始量产2纳米芯片。
罗国昭表示,随着阿斯麦新款光刻机的推出,原本就激烈的“三方大战”将变得更加扑朔迷离,画面会更加“好玩儿”。路透社报道称,英特尔2022年订购了第一台High NA EUV,台积电、三星、SK海力士和美光等芯片制造商也都从阿斯麦处订购了这款光刻机。
台湾《经济日报》报道称,台积电、三星、英特尔在2纳米先进制程展开大比拼之际,新一波“抢关键机器大战”同步开打。阿斯麦计划明年先生产10台High NA EUV,英特尔抢下6台,暂时领先,三星正极力拉拢阿斯麦,这都给台积电带来压力。
有分析认为,阿斯麦推出这项新技术的目的是助力英特尔和台积电等芯片制造商攻克2纳米及以下节点的芯片制造技术,同时让整个芯片行业保持对其高端光刻机的依赖。欧洲IT资讯网站分析称,阿斯麦的High NA EUV是生产最先进芯片的唯一选择,英特尔作为第一个收到该光刻机的客户,“终于可以梦想着再次击败竞争对手”。
半导体咨询公司Semiconductor Advisors的分析师罗伯特·迈尔表示,纳米压印技术是芯片行业一直寻找的“不存在的替代品”,佳能在很多年前就已经开始探索纳米压印技术,但从未真正获得重大突破。讨论比较多的、被认为可以从阿斯麦“嘴里抢食”的定向自组装(DSA)、纳米压印等技术目前也无法替代光刻。
“可以齐头并进的新起点”
罗国昭告诉记者,台积电目前处于领先地位,3纳米、4纳米和5纳米等先进制程芯片在其营收中的收入占大头,独揽全球代工份额。因此,在引入阿斯麦最新光刻机这一问题上,台积电实际上并不是最着急的。充分挖掘已有市场,再向2纳米过渡才符合台积电的利益最大化原则。
进入10纳米后,英特尔在技术制程上发展缓慢,台积电在7纳米、5纳米上的突破迫使其提出了“四年五个制程节点”计划。在近几年连续突破Intel 7(10纳米制程)、Intel 4(7纳米制程)、Intel 3(4纳米制程)后,Intel 20A和18A等后续技术推进速度非常快。罗国昭表示,此次英特尔率先引入新机器,有利于其在2025年实现Intel 20A(等效2纳米制程)芯片的商业化,从而在时点上赶上甚至超越台积电。
不过也有业界分析师认为,购买6台High NA EUV的支出高达21亿—24亿美元,这对英特尔来说是一个非常大的赌注,如果不孤注一掷,英特尔将落后于台积电。分析认为,幸运的话,最好的情况是英特尔可与台积电“平起平坐”。
欧洲科技网站Techzine报道称,英特尔自己的产品本身就是一种极具吸引力的人工智能产品,而其与英伟达等公司签订的利润丰厚的合同,将为英特尔“创造一个非常理想的局面”。
至于三星,罗国昭表示,该公司目前最大、也是最现实的问题并不在技术上,而是在获得全球客户的信任上——如何获得一定的市场占有率、如何站稳脚跟是三星的当务之急。不过,阿斯麦新机器的出现为原本竞争激烈的这三家芯片制造商提供了一个看上去可以齐头并进的新起点,所有的竞争似乎可以在这个新平台上“重新来过”。